Oberflächeneffekte an Silizium‐Einkristallen

Nach der Diffusion oder Temperung von Si-Planarscheiben im Vakuum oder in nicht oxydierender Atmosphare, wurden Abtragungen unterschiedlicher Geometrie an der Oberflache beobachtet. Charakteristische Atzstrukturen wurden nach der Arsen-Diffusion unter bestimmten experimentellen Bedingungen gefunden. Als Ursache der Abtragungen wird die Anwesenheit von Wasserspuren angenommen. Structures of different geometry were observed on surfaces after diffusion or annealing of Si planar slices in vacuum or non-oxidizing atmosphere. Characteristic etch structures were found after arsenic diffusion under determined experimental conditions. Traces of water are considered to be the cause for the levels.