Zellen eines dynamischen Speichers mit wahlfreiem Zugriff mit seitlich versetzten Speicherknoten und Verfahren zu ihrer Herstellung

DRAM-Speicher, aufweisend: ein Feld von Speicherzellentransistoren in einem Halbleitersubstrat (1), wobei das Feld von Speicherzellentransistoren in einer Vielzahl von in Reihen- und Spalten angeordneten und durch eine Vorrichtungsisolationsschicht (3) definierten Aktivbereichen (3a, 3b) ausgebildet ist, wobei die Aktivbereiche (3a, 3b) von Reihe zu Reihe alternierend in Reihenrichtung zueinander versetzt angeordnet sind, und ein Feld von Speicherknoten (39a, 39b, 39c, 39d), wobei jeder Speicherknoten (39a, 39b, 39c, 39d) uber einen Steckkontakt (19a, 19b, 19c, 19d), der in einem Kontaktloch (17a, 17b, 17c, 17d) ausgebildet ist, mit einem Source-Bereich (11a, 11b, 11c, 11d) eines jeweiligen Speicherzellentransistors elektrisch verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Speicherknoten (39a, 39b) einer Reihe und die Speicherknoten (39c, 39d) einer benachbarten Reihe jeweils bezuglich der mit dem jeweiligen Source-Bereichen (11a, 11b, 11c, 11d) verbundenen Steckkontakten (19a, 19b, 19c, 19d) jeweiliger Speicherzellentransistoren in zueinander entgegen gesetzten Reihenrichtungen versetzt angeordnet sind, wobei der jeweilige Versatz zwischen den...