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20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
2005
kei takasina
maakuoreru burun
dankan moodo
tuyosi oota
satosi fuziwara
yukinori ono
hirosi ikawa
mitio takahasi
syou rou hirayama
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