Contact pour un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs

Selon l'invention, un dispositif electroluminescent AlGaInP est fabrique sous la forme d'un dispositif a puce retournee mince. Le dispositif comprend une structure semiconductrice comprenant une couche electroluminescente AlGaInP agencee entre une region du type n et une region du type p. Des contacts n et p electriquement connectes aux regions des types n et p sont tous deux formes du meme cote de la structure semiconductrice. La structure semiconductrice est connectee a l'embase par les contacts. Le substrat de croissance est retire de la structure semiconductrice et le substrat transparent epais est omis, de sorte que l'epaisseur totale des couches semiconductrices dans le dispositif soit inferieure a 15 µm dans certains modes de realisation et inferieure a 10 µm dans certains modes de realisation. Le cote superieur de la structure semiconductrice peut etre texture.