Structure de contact de grille auto-alignée

La presente invention concerne un procede de formation d'un dispositif a semi-conducteur, le procede consistant a deposer une couche de metal sur une ou plusieurs regions de canal d'un ou de plusieurs transistors respectifs dans un substrat, la couche de metal comportant une premiere region et une seconde region ; a abaisser la hauteur de la premiere region de la couche de metal ; a former une couche isolante sur la premiere region de hauteur abaissee, la couche isolante etant formee pour que sa surface superieure soit coplanaire a la seconde region de la couche de metal ; et a former au moins un contact avec une region de source/drain du ou des transistors. La presente invention concerne egalement une structure du dispositif a semi-conducteur ainsi forme.