MIM-Kondensatorstruktur und Herstellungsverfahren

MIM-Kondensatorstruktur mit einer Schichtstapelanordnung, die mehrere Verdrahtungsschichtebenen mit jeweils zwischenliegender elektrisch isolierender Schichtebene auf einem Halbleitersubstrat beinhaltet, wobei die MIM-Kondensatorstruktur umfasst: – eine untere Kondensatorelektrode (120, 220, 320), die eine planare Metallschichtstruktur einer zugehorigen Metallschichtebene aufweist, – eine obere Kondensatorelektrode (140, 240, 340), die aus einer stufigen Metallschichtstruktur einer zugehorigen Metallschichtebene uber derjenigen der unteren Kondensatorelektrode gebildet ist, wobei sich diese Metallschichtstruktur wenigstens bereichsweise lateral uber diejenige der unteren Kondensatorelektrode hinaus erstreckt, – eine erste Verdrahtung (112) fur die obere Kondensatorelektrode, wobei die Verdrahtung in einer Metallschichtebene unterhalb derjenigen der oberen Kondensatorelektrode gebildet ist und sich lateral in dem Bereich erstreckt, in dem die obere Kondensatorelektrode uber die untere Kondensatorelektrode vorsteht, – eine dielektrische Schicht (130), die in einer isolierenden Schichtebene zwischen den Metallschichtebenen der unteren und der oberen Kondensatorelektrode gebildet ist und im Bereich zwischen der unteren und der oberen Kondensatorelektrode als Kondensatordielektrikum fungiert, und...