Charge pumping characterization of MISFETs with SiO2/BaTiO3 as a gate stack

The results of charge pumping measurements of MISFETs with SiO2/BaTiO3 as a gate stack were presented and discussed. The characterization method was used for verification of thershold voltage and trap density values obtained by static current-voltage (I-V) measurements. Streszczenie. W pracy zaprezentowano i przeanalizowano wyniki pomiarow tranzystorow MISFET wykorzystujących dwuwarstwowy dielektryk SiO2/BaTiO3. Pomiary wykonano przy uzyciu metody pompowania ladunku. Stosowana metoda charakteryzacji posluzyla do weryfikacji wartości napiecia progowego tranzystora oraz gestości pulapek powierzchniowych uzyskanych w oparciu o pomiar statycznych charakterystyk prądowo- napieciowych (I-V) tranzystora. (Charakteryzacja tranzystorow MISFET z bramką SiO2/BaTiO3 metodą pompowania ladunku).