团簇V 3 BP电子自旋密度的研究

基于密度泛函理论，对B3LYP/Lanl2dz赝势基组水平的V 3 BP的11种优化构型通过分析其电子自旋密度分布进行稳定性的研究。结果表明：团簇V 3 BP最稳定构型1 （4） 外围电子自旋密度分布均匀，对称性好；内部原子间成键强弱均匀，对称性好；最不稳定构型8 （2） 外围α电子和β电子交替分布且分布不均匀，对称性差且极不规整；内部原子间成键强度各不相同，同一类型键原子间成键强弱也不均匀；团簇V 3 BP各优化构型的外围电子分布由α电子和β电子共同组成，且α电子所占比例较大；构型2 （4） 、1 （2） 、4 （2） 、8 （2） 内部原子间成键后均为β电子过剩，其余构型内部原子间成键后均为α电子过剩。