Structure et procédé pour former un cmos avec un nfet et un pfet ayant des matériaux de canal différents

L'invention concerne une structure et un procede ameliores pour former des transistors a effet de champ CMOS. Dans des modes de realisation, du silicium-germanium (SiGe) est forme sur un cote PFET d'une structure de semi-conducteur, tandis que du silicium est dispose sur un cote NFET d'une structure de semi-conducteur. Une region d'isolation etroite est formee entre le PFET et le NFET. Les ailettes du NFET sont constituees de silicium et les ailettes du PFET sont constituees de silicium-germanium.