Dispositif à semi-conducteurs et son procédé de production

La presente invention concerne un procede de production d'un dispositif a semi-conducteurs qui presente du GaN (nitrure de gallium) constituant une couche a semi-conducteurs, et passant par une etape de formation de film d'isolation de grille (F) afin, a l'aide de plasma a micro-ondes, de former sur une couche de nitrure ayant du GaN au moins un film parmi le groupe compose d'un film de SiO2 et d'un film d'Al2O3, et amener le film forme a devenir au moins une partie d'un film d'isolation de grille.