Theoretical approach to point defects in a single transition metal dichalcogenide monolayer: conductance and force calculations in MoS 2

Nous presentons ici une mini-revue de nos differents travaux sur l’etude theorique des defauts dans une monocouche de MoS2. En utilisant la Theorie de la Fonctionnelle de la Densite (DFT), nous avons caracterise structurellement et electroniquement differents types de defauts a partir de lacunes de S et Mo, ainsi que leurs antisites. En combinaison avec un formalisme de Green–Keldysh, nous avons simule les images de microscopie a effet tunnel (STM) correspondantes. Egalement, nous avons determine les forces, afin d’interpreter les experiences de microscopie a force atomique (AFM). Nous avons egalement etudie l’adsorption de molecules sur ces defauts. Finalement, nous presentons de recents resultats sur le calcul de conductance laterale dans des nano-rubans de MoS2 avec defauts. Ces travaux ouvrent la voie a de nouvelles applications en nanoelectronique ou pour les capteurs de gaz, et soulignent la necessite d’explorer plus avant ces nouveaux systemes.