Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur

Selon l'invention, sur une surface d'une tranche semi-conductrice (1) ayant une premiere surface (surface principale) (1a) et une seconde surface (surface arriere (1b), un film de protection (2) est forme. Au moment de l'attraction de la tranche semi-conductrice (1) sur une surface d'attraction d'un mandrin electrostatique (6) chauffe a 400°C ou plus, la tranche semi-conductrice (1) est attiree sur la surface d'attraction a travers le film de protection (2). Dans un etat ou la tranche semi-conductrice (1) est chauffee a 400°C ou plus, des ions sont implantes sur la surface, qui est celle de la tranche semi-conductrice (1) et n'a pas de film de protection (2) forme sur celle-ci. Ensuite, le film de protection (2) est retire de la tranche semi-conductrice (1).