Charge state of hydrogen in crystalline silicon

Estimation des stabilites relatives des interstitiels d'hydrogene des centres de liaisons (BC) neutres et positifs, et de l'hydrogene charge negativement au site antilisant, en fonction de la position du niveau de Fermi. On predit le fait que le niveau donneur associe a l'hydrogene est situe en dessous du niveau de Fermi intrinseque, et l'existence d'une region d'energie de Fermi autour du milieu du gap ou l'etat de charge neutre est stable