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Acemap > Paper > チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

2007 
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