Vaporisateur haute performance pour la vaporisation de liquide precurseur et de liquides multiples precurseurs dans le depot de couches minces sur semi-conducteur

Systeme de vaporisation (50, 92, 92A, 92B, 180) permettant la formation de couches minces et l'introduction de vapeurs dans une chambre de depot (26, 84, 130) pour le depot de films sur une surface de semi-conducteur. Ledit systeme possede une chambre de vaporisation (52, 116, 192) dans laquelle sont selectivement introduits au moins deux liquides precurseurs differents separes (54A, 54B, 54C, 110A, 110B, 186) portes dans un flux de gaz qui peut etre un gaz porteur unique ou un gaz porteur selectionne parmi une pluralite de gaz porteurs provenant de sources de gaz (12, 62A, 62B, 62C, 98A, 98B, 184). Lorsque les liquides introduits sont susceptibles d'etre soumis a la decomposition thermique par contact avec des surfaces a haute temperature, un atomiseur (94, 142A, 142B, 154A, 154B, 182) est utilise a l'orifice d'entree de la chambre de vaporisation (52, 116, 192) pour fournir un aerosol a la chambre de vaporisation (52, 116, 192) a partir d'une ou de plusieurs sources individuelles de liquide combine a un ou plusieurs gaz porteurs individuels provenant des sources de gaz (12, 62A, 62B, 62C, 98A, 98B) en vue de leur introduction simultanee ou sequentielle dans la chambre de vaporisation (52, 116, 192). Ladite chambre de vaporisation (52, 116, 192) peut etre concue pour garantir une vaporisation complete par l'introduction d'un flux de gaz de recirculation par des passages chauffes (198, 124, 202, 212) avant que le melange gaz / vapeur vaporise sorte de la chambre de vaporisation (52, 116, 192).