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Bakeroot Benoit
Bakeroot Benoit
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p-GaNゲートHEMTの表面ポテンシャルベースコンパクトモデリング【JST・京大機械翻訳】
2021
Wang Jie
Chen ZhanFei
You ShuZhen
Bakeroot Benoit
Liu Jun
Decoutere Stefaan
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Citations (0)
AlGaN/GaNパワーデバイスにおける温度依存性基質捕獲と動的Oleronへの影響【Powered by NICT】
2017
Stockman Arno
Uren Michael
Tajalli Alaleh
Meneghini Matteo
Bakeroot Benoit
Moens Peter
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ゲートエッジを終端化したAlGaN/GaN Schottkyダイオードの電気特性に与えるアノードリセスの影響の統計的解析
2016
IEEE Transactions on Electron Devices
Hu Jie
Stoffels Steve
Lenci Silvia
De Jaeger Brice
Ronchi Nicolo
Tallarico Andrea Natale
Wellekens Dirk
You ShuZhen
Bakeroot Benoit
Groeseneken Guido
Decoutere Stefaan
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完全リセスゲートGaN MISFETにおける正バイアス温度不安定性評価【Powered by NICT】
2016
Wu Tian-li
Franco Jacopo
Marcon Denis
De Jaeger Brice
Bakeroot Benoit
Kang Xuanwu
Stoffels Steve
Van Hove Marleen
Groeseneken Guido
Decoutere Stefaan
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Auの無いAlGaN/GaN Schottky障壁ダイオード上の一定電圧オフ状態ストレスの研究 | 文献情報 | J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンター
2015
Japanese Journal of Applied Physics
Hu Jie
Stoffels Steve
Lenci Silvia
Wu Tian-li
Ronchi Nicolo
You ShuZhen
Bakeroot Benoit
Groeseneken Guido
Decoutere Stefaan
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