The silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Beim Bilden einer ohmschen Elektrode (8) in einer Ruckseite eines n-SiC-Substrats (1) wird durch Ionenimplantation in einer Oberflachenschicht der Ruckseite eines n-Epitaxialsubstrats ein n + -Halbleitergebiet (7) gebildet. Bei dieser Ionenimplantation liegt die Storstellendichte des n + -Halbleitergebiets (7) in einem Bereich von 1 × 10 19 /cm 3 bis 8 × 10 20 /cm 3 und bevorzugt hochstens 4 × 10 20 /cm 3 und wird ein n-Fremdstoff durch Beschleunigungsenergie in einem Bereich von 30 keV bis 150 keV implantiert, so dass die Dicke des n + -Halbleitergebiets (7) etwa 200 nm oder weniger ist. Danach werden aufeinanderfolgend eine Nickelschicht und eine Titanschicht in der Oberflache des n + -Halbleitergebiets (7) gebildet, wird die Nickelschicht warmebehandelt, um ein Silicid zu bilden, und wird die aus Nickelsilicid bestehende ohmsche Elektrode (8) gebildet. Auf diese Weise kann eine vorteilhafte Eigenschaften aufweisende Ruckseitenelektrode gebildet werden, wahrend ein Abschalen der Ruckseitenelektrode unterdruckt werden kann.