On Chemical Kinetics of Silicon Deposition from Silane (VI). The Effect of Wafer Diameter

Changing substrate diameter, when depositing poly silicon by decomposition of silane in a hot-wall tube reactor under LPCVD-conditions, alters total substrate surface area as well as the distance between wafer periphery and tube wall. From a theoretical point of view both quantities are expected to take an influence on the steepness of axial layer growth decay. Relovant experimental results confirm the theoretical considerations, if an additional effect of flow resistance will be taken into account. Die Anderung des Substratscheibendurchmessers im LPCVD-Abscheidungsprozes von Polysilizium durch Pyrolyse von Silan fuhrt zu einer Anderung sowohl der Gesamtabscheideflache als auch des Abstandes zwischen Scheibenrand und Rohrwand. Beide Grosen sollten theoretischen Erwartungen zufolge Einflus nehmen auf die Steilheit, mit der die axiale Schichtwachstumsrate abfallt. Diese Erwartungen werden durch einschlagige Experimente bestatigt, wenn man einen zusatzlichen Stromungswiderstandseffekt berucksichtigt.