Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
埋込んだAgナノ粒子によるAl 2 O 3 メモリ素子の増強した抵抗スイッチング特性
埋込んだAgナノ粒子によるAl 2 O 3 メモリ素子の増強した抵抗スイッチング特性
2017
Gao Leiwen
Li Yanhuai
Li Qin
Song Zhongxiao
Ma Fei
Keywords:
Materials science
Chemical engineering
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
10
Citations
NaN
KQI
[]