Increase an etching speed for a silicon-etching process by pre-treatment of an etching chamber

Eine Vorbehandlung einer Atzkammer zum Durchfuhren eines Silicium-Atzprozesses und eines Bosch-Prozesses kann bewirkt werden, indem ein Abscheidungsprozess unter Einsatz von C 5 HF 7 ausgefuhrt wird oder indem ein abwechselnder Abscheidungs- und Atzprozess unter Einsatz von C 5 H 2 F 6 und SF 6 ausgefuhrt wird. Es ist festgestellt worden, dass die Vorbehandlung der Atzkammer fur den Silicium-Atzprozess die Atzgeschwindigkeit von Silicium wahrend eines jeweils ersten Prozesses im Anschluss an die Vorbehandlung ohne nachteilige Auswirkung auf das Atzprofil um zumindest 50% erhohen kann, wobei der Erhohungsfaktor der Atzgeschwindigkeit im Laufe der Zeit abnimmt. Durch regelmasiges Durchfuhren der Vorbehandlung in der Atzkammer kann der Durchsatz der Atzkammer ohne nachteilige Auswirkung auf das Atzprofil der bearbeiteten Substrate erhoht werden.