Electrical properties of sulfur-implanted cubic boron nitride thin films

立方的硼氮化物(c-BN ) 薄电影被适用在 Si 底层上扔离子横梁帮助了免职然后由 S 离子培植做了。为了在 c-BN 生产 S 离子的一致深度侧面，拍摄，培植为多重精力被执行。c-BN crystallinity 的细微降级源于离子培植能被热退火恢复，象 92 % 一样高使立方的阶段满意。为在 5 的 S 培植以后的到 108 的同样扔的 c-BN 电影的从 1010 的电阻还原剂