NH3 LEAK BLOCK

반도체 공정 중 HMDS(Hexamethyldisilazane) 도포 공정은 효과적인 PR(Photo Resist) 유량 절감 및 PR LIFTING 방지를 위한 HYDROPHILICITY WAFER를 HYDROPHOBIC WAFER로 변화시키는 공정이다. 그러나 본 PROCESS 진행 과정 중 Si(Silicon) WAFER와 HMDS의 화학 반응에 의한 NH 3 (Ammonia)가 발생 하는데 이때 발생하는 NH 3 는 설비 내 각종 오염을 발생 시킴은 물론, 후속 PROCESS 진행 중 NH 3 와 WAFER간 반응에 의한 불량을 초래하고, SCANNER장비의 LENS 오염을 유발하여 DEFOCUS 불량의 원인이 되며 고가의 LENS 교체 비용을 소비하게 된다. 특히 NH 3 는 인체에 유해한 성분으로, 누출 시 안전에 치명적일 수 있으므로 대책이 시급하다. 본 연구논문에서는 이에 따른 개선안으로 NH 3 가 외부로 유출되지 않는 EXH(Exhaust) LINE도입 및 외장 COVER 강화 개발을 제안하고 이에 따른 NH 3 유출 방지로 설비 내 잔존 NH 3 를 제거 및 PC(Paticle) 최소 실현을 도모하며 WAFER품질 예방을 통한 YIELD 극대화를 실현, 이를 통해 생산성 향상 효과를 거둘 수 있을 것으로 판단되어 본 연구를 논문의 주제로 선정하게 되었다.