Transistors à haute mobilité électronique obtenus par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques

Obtention de resultats identiques a ceux des transistors realises par epitaxie en jets moleculaires, pour les transistors fabriques avec la methode d'epitaxie en phase vapeur aux organometalliques, et fournissant les memes caracteristiques de mobilite electronique elevee et de dopage module