A method of manufacturing a nonvolatile memory device
2012
本发明提供一种非易失性存储装置的制造方法,是电阻变化型的非易失性存储装置的制造方法,与适合于微小铜布线形成的双金属镶嵌工艺之间的匹配性、且能够实现大容量及高集成化,其包括:形成电阻变化元件、接触孔(106)以及布线槽(108a)的工序;以及,以覆盖布线槽(108a)且不覆盖接触孔(106)的底面的方式,在层间绝缘层(102)以及(112)以及电阻变化层(104)上形成双向二极管元件的电流控制层(111)的工序。
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