A process for preparing a layered structure as a buffer layer of a semiconductor component and layer structure as a buffer layer of a semiconductor device

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Schichtstruktur (10) als Pufferschicht eines Halbleiterbauelements angegeben, umfassend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen eines Tragers (1), der eine Silizium-Oberflache (1a) aufweist, b) Abscheiden einer ersten Schichtenfolge (2), die eine Ankeimschicht (21), die Aluminium und Stickstoff enthalt, umfasst, auf der Silizium-Oberflache (1a) des Tragers (1) entlang einer Stapelrichtung (H), die senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des Tragers (1) verlauft, c) dreidimensionales Wachstum einer 3D-GaN-Schicht (3), die mit Galliumnitrid gebildet ist, auf eine der Silizium-Oberflache (1a) abgewandte Deckflache (2a) der ersten Schichtenfolge (2), d) zweidimensionales Wachstum einer 2D-GaN-Schicht (4), die mit Galliumnitrid gebildet ist, auf den der Silizium-Oberflache (1a) abgewandten Ausenflachen (3a) der 3D-GaN-Schicht (3).