Semiconductor device simulation method and semiconductor device simulation apparatus

Halbleitervorrichtungs-Simulationsverfahren, das einen ersten Schritt (SCHRITT 1) zum Eingeben eines Vorrichtungsparameters fur einen MOSFET enthalt, einen zweiten Schritt (SCHRITT 2) zum Einstellen einer Spannung fur den MOSFET, einen dritten Schritt (SCHRITT 3) zum Berechnen eines Oberflachenpotentials und einer Schwellenspannung des MOSFET auf der Basis der Vorrichtungsparametereingabe im ersten Schritt und der Einstellspannungseingabe im zweiten Schritt, einen vierten Schritt (SCHRITT 4) zum Berechnen einer Vorrichtungs-Kennlinie des MOSFET auf der Basis des berechneten Oberflachenpotentials und der berechneten Schwellenspannung, einen funften Schritt (SCHRITT 5) zum Bestimmen, ob eine Spannungseinstellung im MOSFET zu andern ist oder nicht, und einen sechsten Schritt (SCHRITT 6) zum Bestimmen, ob der Vorrichtungsparameter fur den MOSFET zu andern ist oder nicht, wobei die dritten bis funften Schritte auf einen Rucksprung zum zweiten Schritt (SCHRITT 2) hin wiederholt we rden, um die Spannungseinstellung zu andern, wenn im funften Schritt bestimmt wird, dass die Spannungseinstellung zu andern ist, und wobei die zweiten...