Growth of Single Crystals of Vanadium Sulfides and their electrical conductivity

An equilibrium isotherm on V-S system at 900°C was determined by changing partial pressure of sulfur. Single crystals of several V5S8 and V2S3 compounds were grown by chemical transport. The grown crystals almost satisfied compositional relation on equilibrium isotherms between 900°C (hot zone) and lower temperatures (cold zone). Electrical conductivity of the single crystals was measured at temperatures from liquid nitrogen to 25°C. It showed metallic behavior without any significant dependence on compositional variation. Also the conductivity measurement of sintered samples for various vanadium sulfides was carried out in the compositional range from VS1,38 (V3S4 phase) to VS1,58 (V5S8 phase). Wachstum von Einkristallen der Vanadiumsulfide und ihre elektrische Leitfahigkeit Die Gleichgewichtsisotherme im System V-S bei 900°C wurde nach der Methode der Variation des Schwefeldampfdruckes bestimmt. Einkristalle von V2S3 wurden durch chemischen Transport erhalten. Ihre Zusammensetzung entsprach befriedigened den Werten der Gleichgewichtsisotherme zwischen heis Zone (900°C) und kalterer Zone. Die elektrische Leitfahigkeit der Einkristalle wurde bei Temperaturen zwischen − 196°C und +25°C gemessen; es liegt metallische Leitfahigkeit vor ohne erkennbare Abhangigkeit von wechselnder Zusammensetzung. Die Leitfahigkeit gesinterter Proben verschiedener Vanadiumsulfide von VS1,38 (V3S4-Phase) bis VS1,58 (V5S8-Phase) wurde ebenfalls bestimmt.